过电压保护器发展所需要的功能材料十分广泛，其中包括金属、半导体、电介质、磁性体、生物体等等。功能材料的开发是基础。

在这些过电压保护器所需要的功能材料中，半导体是代表性的硅和锗，是最常见的半导体材料。硅资源丰富，用途广泛。但为了满足开发新型传感器的需要，人们正在研究各种新型半导体材料，如GaAs等复合半导体材料。

利用超晶格的结构可以调整材料的禁带宽度，这就揭开了制造超导材料的秘密，就能比较容易地研制出液氮温度下或在较高温度下的实用超导材料，那么制成人们梦寐以求的工作温度较高的超导量子干涉探测器就为期不远了。